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　　P沟道MOS管与N沟道MOS管相比，区别在于其衬底（Substrate）为P型掺杂，通道（Channel）为P型。主要结构包括栅极（Gate）、漏极（Source）和源极（Drain），其中栅极通过绝缘层与通道隔离。

　　P沟道MOSFET - DE020PG采用先进的沟槽制造工艺与设计，采用TO-252 (DPAK)封装，可在低栅极电荷条件下实现优异的导通电阻（RDS），适用于电源开关、电机驱动及负载切换等场景。P沟道MOS管靠空穴导电，栅极电压比源极低到一定程度时才会导通，相当于一个由负电压控制的电子开关。

　　关键区域：在“地基”上做了两个 P 型区域，分别作为源极（S）和漏极（D），中间隔着绝缘层和栅极（G）。

　　导电主力：电流主要靠带正电的“空穴”来运输，这和 N 沟道管靠电子导电正好相反 。

　　截止状态：当栅极电压和源极差不多，或者比源极高时，中间的路是断的，电流过不去。

　　导通状态：只有当栅极电压比源极电压低，且低过某个门槛（阈值电压）时，内部才会吸引空穴形成通道，开关才打开。

　　典型用法：因为源极通常接电源正极，它特别适合用在电路的“高端”做开关，比如控制电源的通断。

　　与N管区别：N沟道是正电压导通，P沟道是负电压导通，两者配合使用能降低功耗。